fowler nordheim tunneling 原理
F-N穿隧與直接穿隧最不同之處就在於會隨著元件的操作電壓上升，而使.穿隧發生的機率上升。我們使用TCAD模擬軟體，利用閘極電壓將電子充進氮化層後，再將所有的偏壓歸零 ...,,半導體中的隧道效應（又稱穿隧效應，tunnelingeffect）是指量子穿隧效應體現在半導體元件...
奈米科技研究所
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由陳昭睿著作·2008—2F-N穿隧（Fowler-NordheimTunneling...＊寫入與抹除原理.快閃記憶體利用EEPROM的方法來寫入及清除，是藉由基板(substrate)與控制閘之間.的電荷的注入/釋出而為之， ...
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